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VBZE50P06 TO252 P沟道 -60V -55AMOS管场效应管
VBZE40N06 TO252 N沟道 60V 40AMOS管场效应管
VBZE30N03 TO252 N沟道 30V 30AMOS管场效应管
VBZE45N03 TO252 N沟道 30V 46AMOS管场效应管
VBZE50N03 TO252 N沟道 30V 50AMOS管场效应管
VBZE60N03 TO252 N沟道 30V 60AMOS管场效应管
VBZE50N06 TO252 N沟道 60V 50AMOS管场效应管
VBZE20P06 TO252 P沟道 -60V -20AMOS管场效应管
VBZE50N03 规格 VBZE50P03
VBZE12N06 TO252 N沟道 60V 12AMOS管场效应管
VBZE16N05 TO252 N沟道 50V 16AMOS管场效应管
全新现货 80N06 VBZE80N06 场效应管(MOSFET) 封装TO-252
VBZE15P10全新大芯片 大量供货也可供样品及技术支持
VBZB8205A 元器件 VBZE04N03
场效应管MOS VBZE45N03 TO-252-2 30V 58A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE9N03 TO-252-2 30V 85A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE60N02 TO-252-2 20V 65A VBsemi/微碧
S-1135D33-M5T1S 丝印VBZE 贴片SOT23-5 3.3V 300MA 低压差 LDO
场效应管MOS VBZE50N03 TO-252-2 30V 53A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE12N06 TO-252-2 60V 16A VBsemi/微碧
VBZE50N03/VBZE50P03/VBZE50P06
自营 VBZE20P06 零件 VBZE20P03
规格 VBZE20P06 元件 VBZE20P03
场效应管MOS VBZE30N02 TO-252-2 20V 65A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE5N20 TO-252-2 200V 4A VBsemi/微碧
VBZE20P03/VBZE2810/VBZE30N03
规格 VBZE50N03 元器件 VBZE50P06
全新 VBZE9N03 进口 VBZE7843
VBZE50N03 VBZE50P03 VBZE50P06
场效应管MOS VBZE12P10 TO-252-2 100V 7.5A VBsemi/微碧
VBZE20P03 VBZE2810 VBZE30N03
场效应管MOS VBZE16N05 TO-252-2 60V 41A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE30N06 TO-252-2 60V 22A VBsemi/微碧
VBZE7843 正货 VBZE9N03 参数
VBZE50P06 零件 VBZE50N03 采购
VBZE30N03 进口 VBZE30N02 原厂
VBZE30N02 零件 VBZE30N03 封装
场效应管MOS VBZE40P03 TO-252-2 30V 40A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE20N10 TO-252-2 100V 15A VBsemi/微碧
价格 VBZE30N10 规格 VBZE5N20
VBZE45N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:58A TO-252
VBZE45N03 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:58A TO-252
VBZE30N10 VBZE5N20 VBZE60N02
场效应管MOS VBZE20N06 TO-252-2 60V 45A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE40N06 TO-252-2 60V 30A VBsemi/微碧
VBZE20N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:50A TO-252
VBZE30N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:35A TO-252
VBZE12N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:40A TO-252
VBZE9N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:85A TO-252-
VBZE9N03 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:85A TO-252-
VBZE30N03 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:35A TO-252
VBZE12N03 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:40A TO-252
VBZE20N03 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:50A TO-252
零件 VBZE5N20 原装 VBZE30N10
VBZE40N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:75A TO-252
VBZE40N03 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:75A TO-252
VBZE30N10/VBZE5N20/VBZE60N02
场效应管MOS VBZE75N03 TO-252-2 30V 100A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE04N03 TO-252 30V 140A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE80N03 TO-252-2 30V 85A VBsemi/微碧
场效应管MOS VBZE20P06 TO-252-2 60V 40A VBsemi/微碧
芯片电子元件配单全新原装现货
VBZE50N03 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:53A TO-252
VBZE12N06 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:60V 电流:16A TO-252
