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HYG006N04LS1B6 40V 530A 0.55mOmega G006N04
场效应管G006N04B6MOS管
IRL40SC228 40V 557A 0.65mΩ 40SC228 HYG006N04LS G006N04 现货
TO-263-640V530A库存现货可直拍
场效应管HYG006N04LS1B6G006N04
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HYG006N04LS1TA 华羿微 TOLL 40V600A 0.45mΩ 428W 场效应管芯片
华羿微 HYG006N04LS1B6 40V530A 封装TO-263-6L N沟道MOS管
华羿微电HYG006N04LS1TAMOS管
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HYG006N04LS1B6 HYG006N04LS1B6 全新进口 只做原装 可开税票
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HYG006N04LS1TA 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:40V 电流:600A
HYG006N04LS1B6 场效应管 HYG006N04LS1B6 TO-263-6
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参数 HYG009N04LS1C2 规格 HYG006N04LS1TA
HYG006N04LS1TA(HYG01 7N03LS1C2 9N04LS1C2 1N04LS1TA
场效应管(MOSFET) HYG006N04LS1B6 TO-263-6 全新 原装 现货
场效应管(MOSFET) HYG006N04LS1TA TOLL 全新 原装 现货10个起拍
HYG006N04LS1TA HYG007N03LS1C2 HYG009N04LS1C2
场效应管(MOSFET) HYG006N04LS1B6 TO-263-6 HUAYI(华羿微) 原装
HYG006N04LS1B6 40V 530A 0.55mΩ G006N04 代 IRL40SC228
HYG006N04LS1B6 场效应管(MOSFET) HYG006N04LS1B6 TO-263-6
